Pamięć: specjalne tryby pracy

odczyt-modyfikacja-zapis - Nie trzeba strobować adresu kolumny. Można natomiast użyć adresu z impulsów niskiego potencjału CAS i dokonać zapisu w przeciągu nanosekund.

Tryb stronicowy - Utrzymywanie wierszu DRAM otwartego poprzez utrzymywanie stanu niskiego na RAS albo zapisów odosobnionym impulsem CAS.

Tryb nakładkowy - Cztery impulsy CAS mają dostęp do czterech sekwencyjnych lokacji w wierszu.