Pamięć: cykle odczytu i zapisu

1. Ustawiamy adres odczytany w strukturze pamięci na liniach adresowych,
2. Uaktywniamy MEMREQ na podstawie adresu oraz linię CE wybierającą układ pamiętający,
3. Uaktywniamy linię odczytu RD i pobieramy dane.

Tak, jak w przypadku odczytu, ale ustawiamy stan niski na WR zamiast na RD, po czym procesor wystawia dane na linie danych tak długo, aż zostaną one zapisane.

1. Pobieramy z pamięci adres wiersza, w którym znajduje się pożądana przez nas komórka
2. Po ustabilizowaniu szyny adresowej sygnałem RAS¹⁾ zatwierdzamy ten adres
3. Na szynę adresową wystawiamy adres kolumny zawierającej żądaną komórkę, co zatwierdzamy CASem²⁾.

Czas pomiędzy sygnałami CAS i RAS wynika z konstrukcji pamięci. Musi pozwolić na ustabilizowanie się szyny adresowej oraz wysterowanie wiersza do odczytu.

1. Pobieramy adres, pod który będziemy zapisywać
2. Synchronizujemy RAS wiersza i CAS kolumny, celem ustalenia, gdzie będziemy zapisywać
3. Mamy pełen adres, więc ustawiamy WR
4. Zapisujemy dane